从现在开始，5G这无疑是半导体制造商关注的市场。回顾移动通信的发展过程，每一代移动通信系统都可以通过标志性能力指标和核心关键技术来定义：

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1G采用频分多址(FDMA)，只能提供模拟语音业务；

2G主要采用时间多址(TDMA)，可提供数字语音和低速数据业务；

3G以码分多址(CDMA)作为技术特征，用户峰值率达到2Mbps至数十Mbps，可支持多媒体数据业务；

4G多址分为正交频(OFDMA)以技术为核心，用户峰值率可达100Mbps至1Gbps，可支持各种移动宽带数据业务。

来到了5G，其关键能力比前几代移动通信更丰富，用户体验率、连接密度、端到端延迟、峰值速率和移动性将成为5G关键性能指标。

再加上新兴的物联网、移动互联网等应用对5G需求更高，在5G对设备也有进一步的要求。高通高级工程主管John Smee所说，5G对电池寿命、可靠性等方面的要求较高。

根据市场调研机构ReportsnReports报告显示，5G到2025年，互联网将产生2500亿美元的年收入，这必将给最近苦苦挣扎的半导体带来新的曙光。

挑战和机遇

虽然业界对5G 期望很高，但是对于5的布局G目前，网络仍面临诸多挑战。例如，尽管如此OEM与芯片制造商正在开发相关的5G产品，但5G标准尚未确定，这是第一个挑战。

其次，业内人士都知道，现在LTE网络的运行频率范围为700MHZ到3.5GHZ，但在5G除了LTE未经授权的毫米波频段(30GHZ到300GHZ为了提高无线数据无线数据容量。这将给移动系统和基站系统处理器、基带和RF设备带来了更多的新需求。于RF5.芯片供应商G它将给它们带来前所未有的新需求，包括一种称为毫米波相控阵天线的技术。

这种毫米波设备已经应用于太空和军事，逐渐迁移到汽车雷达和60GHZ WIFI和即将到来的5G但这并不是一个简单的迁移，设计和设计的操作模式甚至毫米波Avago公司给厂商带来新的挑战。

这种芯片的设计不仅会变得非常困难，而且在测试中也会给制造商带来新的挑战。

在NI一篇文章提到，由于这些毫米波的波长在1到10毫米之间，制造商从物理层探索以提高频谱的利用率MIMO、干扰协调等技术方法会带来很高的路径损失，有些频段甚至在水蒸气中也会面临传输损失的挑战。此外，在密集的城市环境信道测量中，发现集成方向控制天线波束和网络拓扑蜂窝系统需要更高的链路预算。所有这些都将给测试制造商带来强大的挑战。

Skyworks首席技术官 Peter Gammel，也表示，由于5G对化合物半导体化合物半导体提出了新的要求。

我们可以分析手机、基站、测试和包装：

(1)基站

5G在实际应用中，带相控阵天线的手机将向基站和微蜂窝基站发送信号，基站和微蜂窝基站将与相控阵天线对接，实现信号连接。

要实现上述功能，还有一些问题要解决。例如，天气状况会影响信号路径。“在毫米波频段，由于氧气和吸收造成的路径损失会更大，”AnokiwaveCEO Robert Donahue解决办法是采用波束成型技术。

Anokiwave有一个叫5G四核”的IC，工作频率为28GHz，具有相控阵功能。IC微蜂窝基站等系统可采用硅锗工艺。

理论上，这种芯片可以与基站通信。G不同，4.5G和5G设备必须大规模支持MIMO技术。基站射频功率管一般采用LDMOS但艺，但现在LDMOS该工艺正在氮化镓中(GaN)工艺替代。这是半导体行业的第一个挑战和机遇。

“和LTE-A一样，5G稳茂半导体高级副总裁DavidDanzilio稳茂半导体提供GaAs和GaN工艺OEM服务。LTE更高频率，GaN技术已经开始扩大市场份额。

“GaN是宽禁带材料，StrategyAnalytics的Higham说，这意味着GaN能够承受更高的电压也意味着GaN设备的功率密度和工作温度较高。所以，与GaAs和磷化铟(InP)与其他高频工艺相比，GaN设备输出功率更大；和LDMOS和SiC与碳化硅等其他功率工艺相比，GaN频率特性较好。”

将来，5G手机中的PA甚至可以用GaN来制造。“GaN特别是在高频应用中，也高频应用中。Qorvo无线基础设施和产品事业部总经理 SumitTomar说。

军用手机已经开始使用GaN但普通智能手机使用了设备GaN器件要等一段时间，因为只有低功率GaN在技术上取得突破，GaN智能手机可以放置设备。